- 工作类型:全职
- 职位类别:工艺工程类
- 职位学历:本科
- 招聘人数:若干
职位描述
1. 工艺开发与优化:主导PVD(物理气相沉积)工艺在HKMG(高介电常数金属栅)技术中的应用开发,包括金属栅的薄膜沉积。优化工艺参数(如温度、压力、功率等),提升薄膜均匀性、致密性及电学性能。解决薄膜缺陷(如针孔、应力不均)导致的器件可靠性问题。
2. 跨部门协作与整合:与PIE合作,确保PVD工艺与HKMG整体流程兼容。参与技术转移(如从研发到量产),制定工艺窗口控制规范。
3. 技术前瞻与标准化:跟踪行业趋势(如新型金属栅堆叠结构、低电阻接触方案),主导新技术预研及专利布局。编制工艺规范、FMEA(失效模式分析)及控制计划。
职位要求
1. 学历与专业:材料科学、微电子、物理化学等专业硕士及以上学历,博士优先。
2. 经验要求:5年以上半导体PVD工艺开发经验,至少主导过1代HKMG技术量产导入。精通PVD设备及工艺原理(如磁控溅射、离子化金属等离子体工艺)。
3. 技术能力:熟悉HKMG集成流程(如gate-first/gate-last工艺差异)及关键挑战(如功函数调控、界面态控制)。